Fakt, z czasem w nośnikach półprzewodnikowych może dochodzić do dyfuzyjnej upływności ładunków. Tak - im więcej bitów w tranzystorze, tym to ryzyko jest większe. Jest to związane z tym, że musimy rozróżniać więcej poziomów naładowania w bramce pływającej, a więc ucieczka mniejszej liczny elektronów szybciej skutkuje bitowym błędem. Wpływ na trwałość nośników półprzewodnikowych ma także wielkość tranzystorów w układach Flash-NAND. Mniejsze tranzystory, to mniej elektronów w bramce pływającej i cieńszy izolator.
Problem polega na tym, że sam fakt podłączenia SSDka do zasilania w żaden sposób nie chroni przed tym zjawiskiem.Czasem pomocne mogą być jakieś procesy w tle, np. przenoszenie danych do innych fizycznych lokalizacji przez algorytmy wyrównywania zużycia, ale samo proste podłączenie SSDka do prądu niczego nie zmienia w ładunkach bramek pływających.
Tym niemniej podstawową przyczyną awarii nośników półprzewodnikowych pozostaje ich zużycie operacjami programowania/kasowania. Dziwię się, że autor tak marginalizuje tę podstawową przyczynę usterek. Od strony technicznej w zasadzie nic nie zostało w tym artykule wyjaśnione. I nie to, żebym nie doceniał znaczenia kopii zapasowych, ale całość sprawia wrażenie publikacji po prostu reklamowej, jedynie podszywającej się pod techniczną.
